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聚格科技为半导体检测和制程控制提供多种技术手段，如膜厚测量、等离子体监测、化学成分分析、温度监测、键合对准、缺陷失效分析等，在国产化趋势下，欢迎用户提出进一步开发行业急需的各类光电产品的要求。 以下是一些现有产品。

一：光谱仪

光谱技术在光学测量（椭偏仪、膜厚仪）、等离子体刻蚀工艺检测（等离子体状态监测、刻蚀终点监测）、湿法刻蚀工艺监测等方面有多种应用。

光谱仪是椭偏仪和膜厚仪的核心部件，用于材料光学参数的测定和膜厚测量。 聚格科技的光谱仪涵盖可见光、近红外、短波红外波段。 应用范围广微型光纤光谱仪，灵敏度高。 提供通用的软硬件开发接口，适合集成。

等离子广泛存在于蚀刻、沉积、去胶等工艺中。 利用光谱仪实时测量等离子体的发射光谱，可在线监测其成分和状态，获取一致性或蚀刻终点等信息，实时控制工艺。 此外，在薄膜沉积或刻蚀过程中检测样品的反射光谱，实时获取膜厚、表面状态等信息，及时控制过程。 聚格科技的光栅光谱仪响应时间可以达到微秒级，可以提供实时反馈。

在湿法工艺中，需要及时严格监控药液池的成分，稳定的化学成分保证了工艺的稳定性和一致性。 与传统的组分监测方法（如电导率监测）相比，使用SG1700光纤光谱仪监测溶液的光谱信息，可以实现对溶液中各种组分含量的非接触式实时监测微型光纤光谱仪，响应速度快快速地。 借助聚格科技的多路复用器，一台光谱仪可实现多点同时在线监测。

SG1700 光纤光谱仪和 FM-15 多路复用器

二：短波红外摄像头

半导体硅材料由于其能带特性，可以被波长在1200nm以上的短波红外光穿透。 因此，短波红外（900~1700nm）相机可以检测硅锭和硅片中的缺陷或裂纹。 在集成电路制造过程中，短波红外相机可以穿透硅片检测内部结构，或透过硅片看到对准标记，并在键合时进行硅片之间的对准。 在光伏检测领域，裂纹等缺陷在特定的电或光激发条件下会发出短波红外光，即电致发光（EL）或光致发光（PL），短波红外相机是理想的观察和检测手段。分析。 信噪比高，缺陷容易捕捉。 聚格科技短波红外热像仪SW640灵敏度高、响应快、分辨率高，适用于各种短波红外探测场合。

SW640 短波红外热像仪和太阳能电池板裂纹检测

三：MW温度探头

MW温度探头（单点或多通道）适用于300~2000℃过程中的非接触式晶圆温度监测。 聚格科技针对不同的应用和样品材料，提供不同波长的测温探头。 例如3.3μm探头可以从背面透过玻璃基板测量基板上多层复合膜的温度。 适用于玻璃基板导电膜TCO等薄膜的温度测量，也可用于透过石英玻璃窗口测量温度。 真空室内部温度的非接触测温。 5.2μm探头可直接测量玻璃表面温度，适用于薄膜太阳能电池板玻璃基板温度监测，以及其他玻璃基器件的基板温度监测。 该测温探头具有可靠性高、响应速度快、反馈实时、测温波段可选、易于与设备集成等特点。

PS300 中波温度探头

四：短波红外热像仪

在单晶炉、外延片生长、高温沉积或刻蚀等设备中，晶体和晶圆的温度控制非常重要，要求温度分布高度均匀。 半导体工艺需要在密闭的腔室中进行，玻璃窗用于将其与空气隔绝。 传统的长波红外热像仪检测的是7-15μm的红外线，无法通过玻璃窗观察到。 聚格科技的短波红外热像仪感应波长为0.9~2.5μm的红外线，可透过玻璃窗实时观察目标，获取全屏温度分布信息。 与长波热像仪相比，短波热像仪受目标表面状态和发射率的影响较小，测温精度更高，适用于温度较高的目标场景检测。

SW320 短波红外热像仪

五：中长波红外热像仪

中长波热像仪常用于半导体领域，用于晶圆、芯片、封装的热图分析和故障点定位。 聚格科技提供一系列响应波长、灵敏度、分辨率的中长波红外热像仪，满足不同场合的成像和测温需求。 F6非制冷长波红外热像仪在0~500℃宽温度范围内测温精度优于±0.7℃/0.7%。 在真空或高压环境中（4atm），或在高能激光（

F6 非制冷长波红外热像仪和 -80°C 温度测量

F7 制冷中波热像仪

六：锁相红外检测

由于硅片良好的导热性，一些微小缺陷引起的温差极小，是常规热像仪无法观察到的。 锁相红外成像技术周期性调制信号，在周期内的不同时间点采集红外图像，获取幅度、相位等信息。 导热性能。 锁相红外成像的灵敏度大大提高，温度分辨率可达1mK。 它广泛应用于半导体行业，用于芯片故障和材料缺陷分析，以及太阳能电池板缺陷（暗电流）检测。 通过锁相热图，还可以消除由发射率引起的图像反差，更好地发现缺陷。 聚格科技的热像仪、短波相机等产品可支持锁相技术，满足严苛、具有挑战性的应用需求。

巨格科技-红外热像仪、热像仪、光谱仪、激光束分析仪、短波相机、中波制冷热像仪