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业内唯一一家同时提供级联和增强型 GaN 器件的供应商。

基础半导体器件领域的大容量生产专家Nexperia近日宣布推出首款支持低压（100/150 V）和高压（650 V）的E-mode（增强型）功率GaN FET ) 应用程序。 Nexperia（安世半导体）在其级联 GaN 产品线中新增七款 E-mode 器件。 从GaN FET到其他硅基功率器件低压核相仪，Nexperia（安世半导体）丰富的产品组合可以为设计人员提供最佳选择。

Nexperia 的新产品包括五款额定电压为 650 V 的 E-mode GaN FET，RDS(on) 值介于 80 mΩ 和 190 mΩ 之间，提供 DFN 5x6 mm 和 DFN 8x8 mm 封装。 这些产品提高了高压（< 650 V）、低功率数据通信/电信、消费类充电、太阳能和工业应用中的电源转换效率，还可用于高精度无刷直流电机和紧凑型服务器设计，以实现更高扭矩和更大的功率。

Nexperia 现在还提供采用 WLCSP8 封装的 100 V (3.2 mΩ) GaN FET 和采用 FCLGA 封装的 150 V (7 mΩ) GaN FET。 这些器件适用于各种低电压（

在许多电源转换应用中，GaN FET 因其紧凑的解决方案尺寸而可实现更高的电源效率，从而显着降低物料清单 (BOM) 成本。 因此，GaN 器件在主流电力电子市场得到广泛采用低压核相仪，包括服务器计算、工业自动化、消费应用和电信基础设施。 基于 GaN 的器件具有快速开关/开关功能（高 dv/dt 和 di/dt），并在低功率和高功率转换应用中提供出色的效率。 由于极低的 Qg 和 QOSS 值，Nexperia 的 E-mode GaN FET 具有出色的开关性能，而低 RDS(on) 有助于实现更节能的设计。

这些新器件进一步扩展了 Nexperia 广泛的 GaN FET 产品组合，适用于各种功率转换应用。 产品组合包括适用于高压、高功率应用的可级联设备、适用于高压、低功率应用的 650 V E-mode 设备以及适用于低压、高功率应用的 100/150 V E-mode 设备。 此外，Nexperia E-mode GaN FET 采用 8 英寸晶圆生产线制造，可提高生产率并满足工业级 JEDEC 标准。 Nexperia GaN器件产品线的不断扩充，充分体现了Nexperia致力于推动高品质硅器件和宽带隙技术发展的承诺。